太陽(yáng)能電池主要包括晶體硅太陽(yáng)能電池和薄膜太陽(yáng)能電池， PVD 工藝主要應(yīng)用于薄膜太陽(yáng)能電池中。晶體硅太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)化效率較高、性能穩(wěn)定，且各個(gè)產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)比較成熟，占據(jù)了太陽(yáng)能電池市場(chǎng)的主導(dǎo)地位。與晶體硅太陽(yáng)能電池相比，薄膜太陽(yáng)能電池材料用量大大減少，從而大幅降低了制造成本和產(chǎn)品價(jià)格，同時(shí)，薄膜太陽(yáng)能電池還具有制造溫度低、應(yīng)用范圍大等特點(diǎn)。

CIGS薄膜太陽(yáng)能電池，由Cu（銅）、In（銦）、Ga（鎵）、Se（硒）四種元素構(gòu)成最佳比例的黃銅礦結(jié)晶薄膜太陽(yáng)能電池，是組成電池板的關(guān)鍵技術(shù)。CIGS太陽(yáng)能電池已是太陽(yáng)能電池產(chǎn)品的明日之星，可以與傳統(tǒng)的晶硅太陽(yáng)能電池相抗衡。

主要靶材：硅靶、鈦靶、銅靶、鎳銅靶、氧化鈮靶、氧化鋅鋁靶、氧化銦錫靶。